兆易创新：全球排名第一的无晶圆厂NOR Flash供应商

  并不涉及10nm及以下技术节点，且公司产品的销售不受该实体清单限制。同时，公司供应链管理采取多元化布局，以目前情况看公司不会受到较大影响。

  此前，中芯国际被美国列入“实体清单”后，针对适用于美国《出口管制条例》的产品或技术，供应商须获得美国商务部的出口许可才能向中芯国际供应；对用于10nm及以下技术节点（包括极紫外光技术）的产品或技术，美国商务部会采取“推定拒绝”的审批政策进行审核。中芯国际公告称，该事项对其短期内运营无重大不利影响。

  资料显示，兆易创新的产品最重要的包含存储器（NOR Flash、NAND Flash和正在研发的DRAM）、微控制器MCU）以及传感器（Sensor）三大类。

  在存储器领域，兆易创新慢慢的变成了全球排名第一的无晶圆厂NOR Flash供应商，SPI NOR Flash领域市占率国内第一、全球第三。目前，兆易创新55nm的NOR Flash已经量产，且产能不断的提高，将逐步替换65nm的NOR Flash，预计明年55nm的业务占比会提升；其目前主流SLC NAND Flash产品采取38nm工艺，24nm的SLC NAND Flash进入量产导入阶段。

  DRAM是兆易创新的一项新业务，是存储器市场占比最大的产品类型。公司已完成DRAM芯片自主研发及产业化项目的43亿元定增募资，目前以19nm工艺的DRAM产品为主，未来将研发17nm的DRAM产品。

  展 /

  具有较低的存储密度和较高的成本，但具有较快的读取速度、较低的读取延迟和较好的随机访问性能。

  的结构和特性及原理图 /

  是一种非易失性存储技术，用于存储数据和代码。它是一种闪存存储器，类似于NAND

  的区别 /

  存储器是一种常用的非易失性存储器，大范围的应用于各种电子设备中。它们的价值在于它们能快速读取和写入数据

  是市场上主要的非易失性闪存技术，但是据我了解，还是有很多工程师分不清NAND

  的技术对比 /

  的差别在哪儿呢？从字面意思上看， NAND = not AND(与非)，

  的差别 /

  是一类使用比较多的存储器件，在特殊应用场景中具有无法替代的地位，本节是数字存储器件系列

  的结构和参数特性 /

  指令的实施 BSP 版本: NUC123系列 BSP CMSIS V3.01.001 硬件: NuTiny-EVB-NUC123-LQFP64 v1.0 该文件展示了如

  是一类使用比较多的存储器件，在特殊应用场景中具有无法替代的地位，本节是数字存储器件系列

  的结构和参数特性(1) /

  近年来，在物联网和消费电子科技类产品的需求下，特别是在各种新兴应用的推动下，

  基本结构和特点介绍 /

  闪存是一种存储器,大多数都用在一般性程序存储，以及电脑与其他数字产品间交换传输数据。根据内部存储结构不同,

  鸿蒙Ability Kit（程序框架服务）【ServiceExtensionAbility】

  不懂真得问！FREERTOS在中断里面，可以调用有任务级临界段代码的函数吗？